SO DIMM DDR5 Socket Vertical Reverse Type
126B-190A10
SO DIMM DDR5 Socket Vertical Reverse Type, 262 Pin, GF, Black
立威科技的 DDR5 SODIMM 模組與 DDR4 相比，具有更高的記憶體速度和從 4800 MHz 開始更高的頻寬以及更大的容量。這些進展可實現更快的數據傳輸率和更好的多工處理能力，可帶來更流暢、更靈敏的運算體驗。DDR5 具有晶片上的錯誤修正碼 (ECC)，可增強數據完整性和可靠度。DDR5 SODIMM 插槽有 262 支引腳，尺寸是平常 DIMM 的一半。126B 系列在較低電壓位準下運行，有助於減少能源消耗和熱生成，從而延長筆記型電腦的電池續航力並降低小型系統的冷卻要求。
立威科技的 DDR5 SODIMM 模組與 DDR4 相比，具有更高的記憶體速度和從 4800 MHz 開始更高的頻寬以及更大的容量。這些進展可實現更快的數據傳輸率和更好的多工處理能力，可帶來更流暢、更靈敏的運算體驗。DDR5 具有晶片上的錯誤修正碼 (ECC)，可增強數據完整性和可靠度。DDR5 SODIMM 插槽有 262 支引腳，尺寸是平常 DIMM 的一半。126B 系列在較低電壓位準下運行，有助於減少能源消耗和熱生成，從而延長筆記型電腦的電池續航力並降低小型系統的冷卻要求。
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功能介紹
- 高度範圍：4 mm 至 9.2 mm
- 直角和垂直方向可供選擇，以滿足不同客戶的喜好
- 高密度：0.5 mm 間距和 262 個觸點
- 高頻寬：32,000 MB/s 至 64,000 MB/s
- 相容於 JEDEC 標準
應用
- 嵌入式系統
- 邊緣運算
- 工業電腦
- 伺服器
- 盒式電腦
- 路由器
- 交換器
- 筆記型電腦
規格介紹
| Current Rating | 0.6 per pin |
|---|---|
| Voltage Rating | 25V AC |
| Contact Resistance | 60mΩ max. |
| Insulation Resistance | 100MΩ |
| Dielectric Withstanding Voltage | 500VAC |
| Durability | 50 Cycle |
|---|---|
| Insertion Force | 59.8N max. |
| Extraction Force | 44.6N max. |
| Operating temperature range | -40℃~+85℃ |
|---|---|
| Storage temperature range | -40℃~+85℃ |
| Recommended IR Reflow Temperature | 260℃ |
|---|
下載
| 類別 | 標題 | 大小 | 文件類型 | 下載 |
|---|---|---|---|---|
| 3D | 126B-190A10 | 908 KB | RAR: 3D檔 |  |
| 圖面 | 126B-190A10 | 372 KB | PDF: 工程用圖面 | |
| 規格書 | 126B-190AX0 | 442 KB | PDF:規格書 | |
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